英诺赛科全球最大氮化镓工厂月底通线试产，显示器件领域迎来新突破

全球最大的氮化镓功率半导体工厂——英诺赛科（珠海）科技有限公司宣布，其位于珠海金湾的氮化镓工厂将于本月底正式通线试产。该工厂的投产标志着氮化镓技术在功率半导体领域的应用迈入规模化新阶段，同时也为显示器件等相关下游产业带来了新的材料解决方案和发展机遇。

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界电场高、热导率高等优异特性，在高压、高频、高温应用场景中表现显著优于传统硅基器件。英诺赛科此次通线的工厂规划年产能达数十万片8英寸氮化镓晶圆，是全球产能规模最大的氮化镓功率半导体生产基地。工厂涵盖外延生长、芯片制造、封装测试等全流程环节，预计将有效缓解全球氮化镓功率器件供应紧张的局面。

在显示器件领域，氮化镓技术的引入正推动一场技术升级。一方面，氮化镓基Micro-LED显示技术因其高亮度、低功耗、长寿命等优势，被视为下一代显示技术的核心方向。英诺赛科在氮化镓外延和器件的规模化制造能力，可为Micro-LED芯片提供高质量的氮化镓材料基础，有助于降低Micro-LED的制造成本并加速其商业化进程。另一方面，氮化镓功率器件在显示驱动电源、背光模组供电等环节的应用，能够显著提升显示设备的能效和可靠性，满足高刷新率、高分辨率显示屏对电源管理日益严苛的要求。

业内专家表示，英诺赛科氮化镓工厂的试产不仅夯实了我国在第三代半导体领域的国际竞争力，也为显示器件产业的技术创新提供了上游材料支撑。随着氮化镓成本逐步下降和产能释放，预计未来几年氮化镓将在Mini/Micro-LED显示、车载显示、AR/VR微显示等高端显示领域实现更广泛的应用，推动显示器件向更高性能、更低能耗的方向持续演进。

英诺赛科方面透露，工厂通线后将逐步导入客户验证，并针对显示器件、数据中心、新能源汽车等关键应用领域推出定制化氮化镓解决方案。全球氮化镓产业格局或将因这座超级工厂的投产而迎来深刻变化。